HYG042N10NS1B · HUAYI

MOSFET N-Channel 100V/160A, Maximum Power Dissipation 200W, RDS(on) 4.2mΩ Max

SKU: ALD001254 Brand: HUAYI Category: Fets Mosfets

ลด 10%

รวม VAT แล้ว

฿83.25

฿74.93

✓ พร้อมส่ง 0 ชิ้น ในสต๊อก

🚚 จัดส่งภายใน 3 วัน

สินค้าแท้ 100% จากผู้ผลิตโดยตรง

จัดส่งรวดเร็ว ทั่วประเทศไทย

แพ็คสินค้าอย่างดี มั่นใจทุกออเดอร์

ทีมขายพร้อมดูแล สอบถามได้เลย

ราคาพิเศษตามจำนวน

จำนวนชิ้น (Qty.) ราคา (Unit Price THB.)

1 – 4 ฿83.25 ฿74.93

5 – 9 ฿72.44 ฿65.20

10 – 24 ฿69.10 ฿62.19

25 – 49 ฿66.60 ฿59.94

50+ ฿64.10 ฿57.69

สินค้าของแท้ 100%

ออกใบกำกับภาษีได้

จัดส่งทั่วประเทศ

ยิ่งสั่งมาก ยิ่งคุ้ม

Datasheet

คุณแพรว ฝ่ายขาย

ไม่แน่ใจว่าสินค้ารุ่นนี้ตรงหรือไม่?

สอบถามสเปก ราคา และระยะเวลาจัดส่งได้เลยค่ะ

การใช้งานและสินค้าใกล้เคียง

ข้อมูลการใช้งานและสินค้าใกล้เคียง ระบบจะแสดงข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับสินค้านี้ในส่วนนี้

รีวิวสินค้า

ยังไม่มีรีวิวสำหรับสินค้านี้ รีวิวจากลูกค้าที่ซื้อสินค้าจะแสดงที่นี่

Series	-
FET Type	N-channel
Case Style	DPAK(TO-252),D2PAK(TO-263)
VGS(th) @Id	2 - 4V @250uA
Mounting Type	Surface Mount
Drain - Source Voltage	100V
RDS(on) (Max) @ Id,Vgs	4.2mΩ @50A,10V
Continuous Drain Current (Id@25(C))	160A