HYG042N10NS1B · HUAYI

MOSFET N-Channel 100V/160A, Maximum Power Dissipation 200W, RDS(on) 4.2mΩ Max

SKU: ALD001254 Brand: HUAYI Category: Fets Mosfets

รวม VAT แล้ว

฿92.50

฿83.25

✓ พร้อมส่ง 7 ชิ้น

🚚 จัดส่งภายใน 3 วัน

ราคาพิเศษตามจำนวน

จำนวนชิ้น (Qty.) ราคา (Unit Price THB.)

1 – 4 ฿92.50 ฿83.25

5 – 9 ฿80.49 ฿72.44

10 – 24 ฿76.78 ฿69.10

25 – 49 ฿74.00 ฿66.60

50+ ฿71.22 ฿64.10

สินค้าของแท้ 100%

ออกใบกำกับภาษีได้

จัดส่งทั่วประเทศ

ยิ่งสั่งมาก ยิ่งคุ้ม

Series	-
FET Type	N-channel
Case Style	DPAK(TO-252),D2PAK(TO-263)
VGS(th) @Id	2 - 4V @250uA
Mounting Type	Surface Mount
Drain - Source Voltage	100V
RDS(on) (Max) @ Id,Vgs	4.2mΩ @50A,10V
Continuous Drain Current (Id@25(C))	160A